- 英飞凌将凭借这一突破性的GaN 300毫米技术，塑造快速增长的GaN市场
- 英飞凌利用现有的大规模300毫米硅制造技术，最大限度地提高氮化镓生产的资本效率
- 随着时间的推移，300毫米GaN将有助于实现与硅同等的成本
-图片可在AP -获取
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX) (OTCQX: IFNNY)今日宣布，该公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓(GaN)晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有的可扩展的大批量生产环境中掌握这一突破性技术的公司。这一突破将大大推动基于氮化镓的功率半导体市场。与200毫米晶圆相比，300毫米晶圆的芯片生产技术更先进，效率也更高，因为更大的晶圆直径可以提供2.3倍的芯片。
基于氮化镓的功率半导体在工业、汽车、消费、计算和通信应用中得到了迅速的应用，包括用于人工智能系统、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统的电源。最先进的GaN制造工艺可以提高器件性能，从而为最终客户的应用带来好处，因为它可以实现效率性能，更小的尺寸，更轻的重量和更低的总体成本。此外，300毫米制造通过可扩展性确保卓越的客户供应稳定性。
英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示:“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队敬业工作的结果，证明了我们作为GaN和电源系统创新领导者的地位。”“这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次表明，我们决心成为快速增长的GaN市场的领导者。作为电力系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料:硅、碳化硅和氮化镓。”
英飞凌日前在其位于奥地利菲拉赫(Villach)的功率晶圆厂现有的300毫米硅生产线上，成功地在一条集成中试线上生产了300毫米GaN晶圆。该公司利用现有的300毫米硅和200毫米氮化镓的生产能力。英飞凌将根据市场需求进一步扩大氮化镓产能。300毫米氮化镓的制造将使英飞凌处于塑造不断增长的氮化镓市场的地位，预计到本十年末，氮化镓市场将达到数十亿美元。
这一开创性的技术成功凸显了英飞凌作为电力系统和物联网领域全球半导体领导者的地位。英飞凌正在实施300毫米GaN，以增强现有的解决方案和应用领域，并以日益具有成本效益的价值主张和解决全系列客户系统的能力实现新的解决方案和应用领域。英飞凌将于2024年11月在慕尼黑举行的电子贸易展上向公众展示首批300毫米GaN晶圆。
300毫米氮化镓技术的一个显著优势是，它可以利用现有的300毫米硅制造设备，因为氮化镓和硅在制造工艺上非常相似。英飞凌现有的大批量300毫米硅生产线是试验可靠氮化镓技术的理想选择，可加速实施并有效利用资金。完全规模化的300毫米GaN生产将有助于GaN在RDS(on)水平上与硅持平，这意味着类似Si和GaN产品的成本相当。
300毫米氮化镓是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，支持英飞凌的脱碳和数字化使命。
一个布特英飞凌
英飞凌科技股份公司是电力系统和物联网领域的全球半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动脱碳和数字化。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年(截至9月30日)创造了约163亿欧元的收入。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX)，在美国在OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
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